近日，华工激光首台全自动晶圆激光退火智能装备成功发往客户现场验证，标志着继激光表切、改质切割后，华工激光在第三代化合物半导体关键技术领域实现又一重要突破。

激光退火，新一代关键技术

碳化硅是第三代半导体材料的典型代表，以其卓越的物理和化学特性成为5G、新能源、AI人工智能、物联网等前沿技术领域中的材料新宠。随着技术进步与应用升级，半导体器件制造对退火工艺的要求不断提高，传统的高温热退火工艺存在种种不足，行业需要一种区域可调、深度可控的新型退火方案。

激光退火原理是利用高能量的激光束，通过光斑整形后，辐射整片SiC晶圆背金（Ni或Ti层）发生合金化反应并生成Si合金化合物层、碳聚集位层以及碳空位层，降低过渡族金属与SiC衬底间的势垒差，形成良好的欧姆接触，起到降低接触电阻、提高器件电学性能的作用。

激光退火后的晶圆

较传统快速热退火技术（RTA），激光退火技术（LA）具备诸多优势：

升温快：高质量脉冲激光能量密度极高，退火温度短时间内即可升高

退火深度可控：光斑易操控，可实现选择性退火

可局部退火：降低光穿透和热扩散至晶圆正面的影响，保障晶圆质量

激光退火技术深度可控、区域可调的优秀特性，有效克服了传统快速热退火技术的痛点，使其成为化合物半导体加工领域的新一代关键退火技术。

华工激光，化合物半导体加工先行者

面对化合物半导体市场发展的紧迫需求，华工激光瞄准碳化硅器件加工痛点，专注于SiC、GaN、InP、AsGa等化合物半导体的激光微纳加工和量测领域，凭借先进的激光加工技术和AOI检测等核心技术，全面布局化合物半导体生产上中下游关键制程，针对性为行业客户定制一站式系统解决方案。

兼容6/8寸及减薄片、键合片等各类型SiC晶圆加工，通过定制激光退火头与精密运动平台相对运动，实现对整片SiC晶圆背金（Ni或Ti层）退火，形成良好欧姆接触，降低接触电阻，提高器件电学性能。

围绕“装备智能化、产线自动化、工厂智慧化”的发展脉络，华工激光构建起衬底缺陷检测、晶圆厚度检测、激光ID标刻、激光退火、激光开槽、激光改质切割、晶圆裂片等一系列关键制程的全产业链整体解决方案，充分挖掘先进激光及量测技术的广阔应用场景，助力行业发展实现国产替代，提“智”升级。